无锡凤凰半导体科技有限公司
企业简介

无锡凤凰半导体科技有限公司 main business:半导体高频开关的研发、设计;电子元器件的研发和销售;自营各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 无锡市滨湖区锦溪路100号.

If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.

无锡凤凰半导体科技有限公司的工商信息
  • 91320211678320243C
  • 在业
  • 有限责任公司
  • 2008-07-23
  • 陈卫宏
  • 3000万元人民币
  • 2008-07-23 至 永久
  • 无锡市滨湖区市场监督管理局
  • 2016-01-05
  • 无锡经济开发区华庄街道华苑路2号
  • 半导体高频开关的研发、设计;电子元器件的研发和销售;自营各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
无锡凤凰半导体科技有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 无锡凤凰半导体科技有限公司 www.phoenix-semi.com
无锡凤凰半导体科技有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 7171592 图形 2009-01-19 半导体器件;高低压开关板;电导体;集成电路块;电子管;电子束管;电子芯片;真空电子管(无线电);晶体管(电子);电子管阳极 查看详情
无锡凤凰半导体科技有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN203118953U 沟槽型半导体功率器件 2013.08.07 本实用新型涉及沟槽型半导体功率器件,其栅极导出版图设计中包括栅极总线01、多晶硅沟槽03、沟槽侧壁的
2 CN202940241U 耐高压绝缘栅双极型晶体管 2013.05.15 本实用新型涉及耐高压绝缘栅双极型晶体管、包括发射极(1)、栅极(2)、集电极(3),所述发射极(1)
3 CN102263129B 低栅电容的绝缘栅双极型晶体管 2013.04.03 本发明涉及一种低栅电容的绝缘栅双极型晶体管,包括多晶栅极区poly、掺杂区、氧化层、金属层METAL
4 CN102983160A 绝缘栅双极型晶体管 2013.03.20 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管,所述绝缘栅双极型晶体管集电极由外向内依次设有金属层、P+层、N+层
5 CN102832239A 耐高压绝缘栅双极型晶体管 2012.12.19 本发明涉及耐高压绝缘栅双极型晶体管、包括发射极(1)、栅极(2)、集电极(3),所述发射极(1)与集
6 CN202585384U 元器件包封结构 2012.12.05 本实用新型涉及一种元器件包封结构,包括塑封体和布置在塑封体一侧的管脚,还包括塑封料层,所述管脚靠近塑
7 CN102629595A 元器件包封结构 2012.08.08 本发明涉及一种元器件包封结构,包括塑封体和布置在塑封体一侧的管脚,还包括塑封料层,所述管脚靠近塑封体
8 CN202189792U 低栅电容的绝缘栅双极型晶体管 2012.04.11 本实用新型涉及一种低栅电容的绝缘栅双极型晶体管,包括多晶栅极区poly、掺杂区、氧化层、金属层MET
9 CN102263129A 低栅电容的绝缘栅双极型晶体管 2011.11.30 本发明涉及一种低栅电容的绝缘栅双极型晶体管,包括多晶栅极区poly、掺杂区、氧化层、金属层METAL
10 CN101640186B 绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法 2011.02.16 本发明一种绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法,其首先在衬底表面做IGBT集电极;接着在衬底表
11 CN201490194U 一种绝缘栅双极型晶体管 2010.05.26 本实用新型一种绝缘栅双极型晶体管,其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底,形成在衬底
12 CN201478312U 绝缘栅双极型晶体管 2010.05.19 本实用新型绝缘栅双极型晶体管,其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底,形成在衬底表面
13 CN101667592A 一种绝缘栅双极型晶体管 2010.03.10 本发明一种绝缘栅双极型晶体管,其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底,形成在衬底表面
14 CN101667593A 绝缘栅双极型晶体管 2010.03.10 本发明绝缘栅双极型晶体管,其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底,形成在衬底表面的栅
15 CN101640186A 绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法 2010.02.03 本发明一种绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法,其首先在衬底表面做IGBT集电极;接着在衬底表
16 CN201348999Y 绝缘栅双极晶体管跨导控制结构 2009.11.18 本实用新型涉及一种IGBT管芯的绝缘栅双极晶体管跨导控制结构,包括N型硅片、集电区、沟槽区、发射区、
17 CN101431098A 绝缘栅双极晶体管跨导控制结构 2009.05.13 本发明涉及一种IGBT管芯的绝缘栅双极晶体管跨导控制结构,包括N型硅片、集电区、沟槽区、发射区、集电
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 无锡凤凰半导体科技有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 无锡凤凰半导体科技有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
猜你喜欢