![无锡凤凰半导体科技有限公司](http://img.czvv.com/logo/4f38e3cae588971dbc29f60a/4f38e3cae588971dbc29f60a.png)
无锡凤凰半导体科技有限公司 main business:半导体高频开关的研发、设计;电子元器件的研发和销售;自营各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 91320211678320243C
- 在业
- 有限责任公司
- 2008-07-23
- 陈卫宏
- 3000万元人民币
- 2008-07-23 至 永久
- 无锡市滨湖区市场监督管理局
- 2016-01-05
- 无锡经济开发区华庄街道华苑路2号
- 半导体高频开关的研发、设计;电子元器件的研发和销售;自营各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 | www.phoenix-semi.com |
序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
1 | 7171592 | ![]() |
图形 | 2009-01-19 | 半导体器件;高低压开关板;电导体;集成电路块;电子管;电子束管;电子芯片;真空电子管(无线电);晶体管(电子);电子管阳极 | 查看详情 |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN203118953U | 沟槽型半导体功率器件 | 2013.08.07 | 本实用新型涉及沟槽型半导体功率器件,其栅极导出版图设计中包括栅极总线01、多晶硅沟槽03、沟槽侧壁的 |
2 | CN202940241U | 耐高压绝缘栅双极型晶体管 | 2013.05.15 | 本实用新型涉及耐高压绝缘栅双极型晶体管、包括发射极(1)、栅极(2)、集电极(3),所述发射极(1) |
3 | CN102263129B | 低栅电容的绝缘栅双极型晶体管 | 2013.04.03 | 本发明涉及一种低栅电容的绝缘栅双极型晶体管,包括多晶栅极区poly、掺杂区、氧化层、金属层METAL |
4 | CN102983160A | 绝缘栅双极型晶体管 | 2013.03.20 | 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管,所述绝缘栅双极型晶体管集电极由外向内依次设有金属层、P+层、N+层 |
5 | CN102832239A | 耐高压绝缘栅双极型晶体管 | 2012.12.19 | 本发明涉及耐高压绝缘栅双极型晶体管、包括发射极(1)、栅极(2)、集电极(3),所述发射极(1)与集 |
6 | CN202585384U | 元器件包封结构 | 2012.12.05 | 本实用新型涉及一种元器件包封结构,包括塑封体和布置在塑封体一侧的管脚,还包括塑封料层,所述管脚靠近塑 |
7 | CN102629595A | 元器件包封结构 | 2012.08.08 | 本发明涉及一种元器件包封结构,包括塑封体和布置在塑封体一侧的管脚,还包括塑封料层,所述管脚靠近塑封体 |
8 | CN202189792U | 低栅电容的绝缘栅双极型晶体管 | 2012.04.11 | 本实用新型涉及一种低栅电容的绝缘栅双极型晶体管,包括多晶栅极区poly、掺杂区、氧化层、金属层MET |
9 | CN102263129A | 低栅电容的绝缘栅双极型晶体管 | 2011.11.30 | 本发明涉及一种低栅电容的绝缘栅双极型晶体管,包括多晶栅极区poly、掺杂区、氧化层、金属层METAL |
10 | CN101640186B | 绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法 | 2011.02.16 | 本发明一种绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法,其首先在衬底表面做IGBT集电极;接着在衬底表 |
11 | CN201490194U | 一种绝缘栅双极型晶体管 | 2010.05.26 | 本实用新型一种绝缘栅双极型晶体管,其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底,形成在衬底 |
12 | CN201478312U | 绝缘栅双极型晶体管 | 2010.05.19 | 本实用新型绝缘栅双极型晶体管,其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底,形成在衬底表面 |
13 | CN101667592A | 一种绝缘栅双极型晶体管 | 2010.03.10 | 本发明一种绝缘栅双极型晶体管,其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底,形成在衬底表面 |
14 | CN101667593A | 绝缘栅双极型晶体管 | 2010.03.10 | 本发明绝缘栅双极型晶体管,其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底,形成在衬底表面的栅 |
15 | CN101640186A | 绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法 | 2010.02.03 | 本发明一种绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法,其首先在衬底表面做IGBT集电极;接着在衬底表 |
16 | CN201348999Y | 绝缘栅双极晶体管跨导控制结构 | 2009.11.18 | 本实用新型涉及一种IGBT管芯的绝缘栅双极晶体管跨导控制结构,包括N型硅片、集电区、沟槽区、发射区、 |
17 | CN101431098A | 绝缘栅双极晶体管跨导控制结构 | 2009.05.13 | 本发明涉及一种IGBT管芯的绝缘栅双极晶体管跨导控制结构,包括N型硅片、集电区、沟槽区、发射区、集电 |
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